美光科技今天宣布，它已开始量产全球首款232层NAND，采用行业领先的创新技术构建，以推动存储解决方案的卓越性能。与以前的NAND时代相比，新的232层NAND可产生更高的容量和更高的能效，从而为从客户端到云的显着数据密集型用例提供一流的帮助。它具有业界最高的面积密度。
美光的232层NAND是存储创新的分水岭，首次证明了在生产中将3DNAND扩展到200层以上的能力。这项突破性技术需要广泛的创新，包括创建高纵横比结构的先进工艺能力、新型材料的进步以及基于我们市场领先的176层NAND技术的前沿设计增强。
美光的232层NAND技术提供了维持数据中心和汽车应用所需的尖端解决方案和实时服务所需的高性能存储，以及在移动设备、消费电子产品和消费计算机系统上的响应式沉浸式体验.
该技术节点能够引入业界最快的I/O速度—2.4GB/秒(GB/s)—以满足人工智能和机器学习、非结构化数据库等以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量需求、实时分析和云计算。该速度是美光176层节点上启用的最快接口的数据传输速度的两倍。与上一代相比，美光232层NAND还提供高达100%的写入带宽和超过75%的读取带宽。这些优势转化为SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能效提升。
美光的232层NAND还展示了世界上第一个六平面TLC生产。它拥有所有TLC闪存中每个裸片最多的平面，并在每个平面上提供自主读取能力。高I/O速度、读写延迟和六平面架构以多种格式提供一流的数据传输。这种结构确保了读写命令之间更不频繁的冲突，并推动了系统级QoS的改进。
美光的232层NAND是首款支持NV-LPDDR4的生产型产品，这是一种低压接口，与之前的I/O接口相比，每比特传输节省30%以上。该公司的232层NAND解决方案为数据中心和智能边缘的移动应用和部署提供了理想的支持，必须以更低的消耗抵消性能的提高。该接口还向后兼容以支持旧系统和控制器。
232层NAND的紧凑外形为客户的设计提供了灵活性，同时实现了有史以来最高的每平方毫米TLC密度(14.6Gb/mm²)。面密度比目前市场上的竞争TLC产品高35%到100%。新的232层NAND采用新的11.5mmx13.5mm封装，其封装尺寸比前几代产品小28%，使其成为市面上最小的高密度NAND。更小尺寸的更高密度可最大限度地减少各种部署的电路板空间。
标签：
免责声明：本文由用户上传，如有侵权请联系删除！