导读 【增强型场效应管符号，场效应管符号】大家对这个很关注，下面小编林整理了增强型场效应管符号，场效应管符号相关内容给大家了解下！场效应...
【增强型场效应管符号，场效应管符号】大家对这个很关注，下面小编林整理了增强型场效应管符号，场效应管符号相关内容给大家了解下！
场效应管（Field-effect Transistor，简称FET）在电气原理图中的文字符号通常用VT表示，旧符号为BG。场效应管也是一种晶体三极管，具有三个电极，分别叫源极（S）、栅极（G）和漏极（D）。在电路图中，场效应管的图形符号旁边常标有文字符号，若电路图中有多只同类元器件时，会在文字后面或右下角标上数字以示区别。
场效应管的图形符号根据其类型有所不同，例如结面型P沟道场效应管的图形符号为P-JEFT，结面型N沟道场效应管的图形符号为N-JEFT，增强型P沟道场效应管的图形符号为P-MOS，增强型N沟道场效应管的图形符号为N-MOS，耗尽型P沟道场效应管的图形符号为P-MOS，耗尽型N沟道场效应管的图形符号为N-MOS。
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