PNY推出了新的CS1031M.22280NVMeSSD存储产品

文贵泽
导读 PNY推出了新的CS1031M 22280NVMeSSD存储产品,其顺序读取速度高达2,400MB s,写入速度高达1,750MB s,同时启动速度更快,应用程序启动速度

PNY推出了新的CS1031M.22280NVMeSSD存储产品,其顺序读取速度高达2,400MB/s,写入速度高达1,750MB/s,同时启动速度更快,应用程序启动速度更快。PNY的最新SSD存储容量有256GB、500GB、1TB和2TB可供选择,可在许多商店购买,并提供5年保修。

“培育先进的内部存储PCIeGen3×4NVMe1.3接口以取代SATA,由于其多通道和更高效的信号机制,可提供更多带宽。虽然SATA最初是为HDD使用而设计的,并且仅为NVMe使用而定制,但NVMe是为SSD精确设计的,与SATASSD同类产品相比,它具有更令人满意的性能。此外,该产品具有多种外形尺寸,适应性强,可与各种存储平台一起使用。”

“凭借其密度移动能力,CS1031M.22280NVMeGen3x4SSD优化了空间使用以获得更好的整体性能。此外,它也是入门级PCIeSSD最具成本效益的解决方案,具有多种密度选择,以满足不同用户的需求。但是,建议使用1TB/2TB。”

“设计经久耐用,CS1031M.22280NVMeGen3x4SSD有望提升用户体验,加快加载时间,传输速度高达2,400MB/s读取和1,750MB/s写入。该产品具有更高的容量和更好的效率,没有不必要的减速。与传统的基于SATA的存储相比,它还最大限度地提高了能源效率,消耗更少的电力,并且更轻松、更安静、更可靠。”

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