导读 随着三星今天宣布初步生产3nm芯片，5nm芯片的日子似乎已经屈指可数(在新窗口中打开)已经开始。新的、更小、更高效的芯片依赖于三星的全环栅
随着三星今天宣布初步生产3nm芯片，5nm芯片的日子似乎已经屈指可数(在新窗口中打开)已经开始。新的、更小、更高效的芯片依赖于三星的全环栅极(GAA)晶体管架构和多桥通道FET(在新窗口中打开)(MBCFET)技术。前几代芯片依赖于横向添加鳍片(FinFET)，但MBCFET切换到可以垂直堆叠的纳米片晶体管。
这样做有很多优势，包括能够继续使用FinFET的工具和制造方法，由于垂直堆叠不需要额外的面积来提高速度，以及开/关行为的改进，因此三星可以降低工作电压.
三星表示，与5nm工艺相比，第一代3nm芯片可将功耗降低高达45%，性能提升23%，所需面积减少16%。三星第二代3nm工艺将带来更大的收益，分别为50%、30%和35%。
三星尚未宣布其3nm芯片的首批客户是谁，但一旦可行，他们肯定会尽快出现在公司自己的移动设备中。目前，三星的主要竞争对手台积电仍专注于生产5nm芯片，其中3nm直到今年晚些时候才会到货，2nm计划在2025年推出。所以三星似乎至少领先几个月。
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