我们正在慢慢地走向宇宙的大小限制，但在我们达到普朗克体积之前，还有一些回旋的空间。这意味着我们未来的智能手机中的芯片更小、更快、更高效。
让我们抛开量子物理学，直接看新闻(请随时在下面的评论部分讨论普朗克常数)。在台积电公布其路线图，阐明何时可以期待3nm和2nm芯片之后，现在三星已经宣布在韩国华城工厂开始生产其3nm半导体芯片。
三星正在转向一种新的架构，将FinFET(鳍式场效应晶体管)换成GAA(GateAllAround)。如果你担心会有更多的物理学出现在你面前，那就深呼吸吧。与FinFET相比，GAA具有多项优势-主要优势在于更高的功率效率。
三星3nm制造节点涉及的另一项新技术是纳米片晶体管制造。它取代了纳米线技术，在这种情况下再次提高了效率和性能。使用纳米片可以通过简单地改变纳米片的尺寸来非常容易地调整效率和性能参数。
三星引用了一些令人印象深刻的数字，将新的3nm节点与旧的5nm制造工艺进行了比较。新芯片的性能提升23%，功耗降低45%，面积减少16%，而这只是第一代3nm硅片。
三星正在从FinFET和纳米线技术转向GAA和纳米片——三星开始在韩国制造3nm智能手机芯片
三星正在从FinFET和纳米线技术转向GAA和纳米片
第二代将带来50%的功率效率大幅提升、30%更好的性能和35%的面积减少。以下是三星电子总裁兼代工业务负责人SiyoungChoi博士的一段鼓舞人心的名言：
“随着我们继续展示在将下一代技术应用于制造方面的领导地位，例如代工行业的首个高K金属，三星发展迅速。栅极、FinFET以及EUV。我们力求通过世界上第一个采用MBCFETTM的3nm工艺来继续保持这种领先地位。我们将继续在具有竞争力的技术开发方面进行积极创新，并建立有助于加速实现技术成熟的流程。”
这家韩国公司还在努力让客户更快、更轻松地设计他们的芯片。三星的SAFE((三星高级代工生态系统)将照顾希望使用新技术设计3nm芯片的合作伙伴。
第一款出厂的3nm智能手机处理器很可能是下一代Exynos2300(S5E9935代号Quadra)。跳到GAA和3nm可以恢复Exynos处理器，这些处理器在智能手机爱好者中不是很受欢迎，并且落后于高通的同行。三星与AMD合作试图扭转局面(Exynos2200配备了基于AMDRDNA2架构的新型XclipseGPU)，但迄今为止，这种合作关系产生了喜忧参半的结果。
随着台积电提高其制造工艺的价格，看看三星将如何在这方面打牌也很有趣。如果新的3nm节点在三星的工厂中变得更便宜，它可以再次摆动钟摆。另一方面，不要指望下一代搭载Exynos的GalaxyS23会比高通的版本便宜，因为它没有任何营销意义。
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