三星领先台积电，并宣布量产3nmGAA芯片，为各种应用和产品带来一系列好处。据这家韩国制造商称，GAA技术超越了FinFET的极限，并计划扩大智能手机SoC的生产。
三星电子总裁兼代工业务负责人SiyoungChoi博士自豪地宣布了新架构，并发表了以下声明。
“随着我们继续展示在将下一代技术应用于制造方面的领先地位，例如代工行业的第一个高K金属栅极、FinFET以及EUV，三星发展迅速。我们寻求通过世界上第一个采用MBCFET™的3nm工艺来继续保持这种领先地位。我们将继续在具有竞争力的技术开发方面进行积极创新，并建立有助于加速实现技术成熟的流程。”
三星采用了不同的方法来量产3nmGAA芯片，其中包括使用专有技术和具有更宽渠道的纳米片。与使用具有更窄通道的纳米线的GAA技术相比，这种方法可以实现更高的性能和更高的能源效率。GAA优化了设计灵活性，使三星能够带来PPA(功率、性能和面积)优势。
与5nm工艺相比，三星声称其3nmGAA技术可以降低高达45%的功耗，提高23%的性能并减少16%的面积。有趣的是，三星并未提及与4nm工艺相比的改进差异，尽管新闻稿确实表示正在研究第二代3nmGAA制造工艺。
这种第二代工艺将使功耗降低多达50%，性能提高30%，面积减少35%。三星没有评论3nmGAA的良率，但根据我们之前报道的情况，情况并没有改善，反而出现了急剧下降。显然，良率在10%到20%之间，而三星的4nm为35%。
据说高通已经对三星的3nmGAA节点进行了预订，假设台积电在其3nm工艺方面遇到了自己的良率问题。这家韩国制造商可能会向高通提供其尖端技术的个人试运行，如果后者满意，我们可能会看到未来Snapdragon芯片组的订单从台积电转移到三星。
至于台积电，预计将在今年晚些时候开始量产3nm芯片，苹果可能会为其即将推出的用于各种Mac的M2Pro和M2MaxSoC获得优惠待遇。希望三星能够显着改进自己的迭代，以重新点燃旧的合作伙伴关系。
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