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电场效应和电压控制

MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的工作原理主要基于电场效应和电压控制。MOS管具有高输入阻抗，这意味着它们在开关应用中非常有效，因为它们不需要额外的输入电流来控制开关状态。

MOS管由一个绝缘的栅极（Gate）、一个源极（Source）、一个漏极（Drain）和一个背栅（Backgate）组成。当栅极施加正电压（VGS）时，它会吸引电子，这些电子在栅极下方聚集形成了一个N型导电沟道，连接源极和漏极。这个沟道的建立是MOS管工作的基础，它允许电流从源极流向漏极。

MOS管的工作状态可以分为导通和截止两种。在导通状态下，VGS大于开启电压（VTH），沟道建立，电流可以从源极流向漏极。在截止状态下，VGS小于开启电压，沟道不建立，电流无法通过。

MOS管的开关特性使其在电子电路中得到广泛应用，尤其是在需要高效率电子开关的场合，如开关电源和马达驱动。此外，MOS管也用于制造CMOS传感器，这些传感器在相机中用于提高画质。

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